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日志

 
 

【茶茶】TLC颗粒二代,三星840 EVO 128G开箱简评  

2014-05-02 07:31:04|  分类: SSD/HDD |  标签: |举报 |字号 订阅

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随着三星840的出现,SSD开始使用比较低端的TLC颗粒,之后三星也推出了第二代产品840 EVO。其实TLC做在SSD上,基本是这两年存储领域争议最大的问题之一。有不少网友认为TLC寿命比较短,不适合于SSD使用。而三星官方一直宣称TLC才是SSD的未来,甚至推出了针对企业使用的产品。所以最近有机会摸到这颗SSD我就立即做了这样一篇测试。后续我也会对目前所测试过的SSD做一个汇总,制作一篇简单的SSD知识汇总,比较系统的梳理一下现在的SSD产品。


产品包装与外观:
由于这次是借朋友装机的机会趁机测试了一下这个SSD,所以没时间拍完整的开箱。产品照片是由朋友代拍的。

840 EVO采用彩印纸盒包装。
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包装背面有一些参数和附件介绍,不过并没有标称参数。
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2.5寸SSD外观基本就这样了,都差不多。
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产品背面有型号和容量标注。
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SSD采用标准SATA接口,接口规范为SATA 3.0。
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产品性能测试:

测试平台与测试思路:
840 EVO其实是和GS120一起测试的。测试平台如下:
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我对SSD分了三个场景来测试。经过少量写入的新盘(正常安装一次系统)、全盘写入后的性能(HD TUNE全盘随机写入),重启待机二十分钟以上后的性能。希望通过几个场景分别测试几个平时使用的情况,新装系统后、SSD充满垃圾数据的极端情况、自动垃圾回收后,几个典型场景下的效率。
P.S 测试数据统计和分析在最后。

测试实际截图:

少量写入的新盘:
少量写入的新盘是指经过一次标准的WINOWS 7安装,模拟一般使用中新买到SSD时的性能,同时避免全新SSD出现的过高写入读数(颗粒是全新写入性能会特别强)。

HD TUNE基准测试:
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随机测试:
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额外测试:
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AS SSD Benchmark测试:
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CrystalDiskMark 1000MB测试:
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CrystalDiskMark 4000MB测试:
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ATTO测试:
新盘忘记测了,所以这项只能空着。


全盘写入后测试:
接下来我就进行了一轮全盘写入。这种条件下对SSD来说还是比较严苛的,因为在SSD工作机制中,现在SSD相当于写满了数据。再进行写入时就需要一边擦一边写。平均写入速度约为128MB/S。
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HD TUNE基准测试:
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HD TUNE随机测试:
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HD TUNE额外测试:
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AS SSD Benchmark测试:
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CrystalDiskMark 1000MB测试:
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CrystalDiskMark 4000MB测试:
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ATTO测试:
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待机后测试:
完成以上测试后,我就重启了一次机器,让SSD处于完全待机状态,希望可以让SSD进行自动垃圾回收,以便获知垃圾回收后的性能表现。经过垃圾数据填写和自动清理,产品的表现会比较接近一个SSD在日常使用中的性能表现。

HD TUNE基准测试:
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HD TUNE随机测试:
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HD TUNE额外测试:
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在完成HD TUNE测试后,我又测试了一次基准读取,然后发现一个很奇怪的现象。SSD的读取性能会剧烈劣化,出现图中的波动。而且这个过程我重复测试了几次,每次都会这样。
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AS SSD Benchmark测试:
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CrystalDiskMark 1000MB测试:
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CrystalDiskMark 4000MB测试:
这项漏了,SSD不在手上,测试漏了也没办法再补足了。

ATTO测试:
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测试数据汇总与总结:
首先我们来看一下各个测试软件的测试成绩:
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从测试数据来看840EVO从数据上看,性能表现似乎不错,但是是否完全就如跑分的数字这么光鲜呢。


接下来我们来分析一下几个数据的对比,首先是HD TUNE的测试对比:
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在基准测试的写入测试中可以体现出TLC颗粒SSD的通病,颗粒的写入能力非常低。由于SLC缓存的关系,所以一开始会看到写入速度似乎很高,可以达到350M以上。但是性能会在SLC缓存容量耗尽之后迅速下滑到130M左右。下图中是在SSD充满冗余数据时的表现,可以看到写入性能在后期有一个明显的衰减。从我之前M5M的测试来类推,如果我再进行一次基准写入,那个时候写入速度恐怕只有30MB左右。所以颗粒的写入性能可以说是840系列的硬伤。
在写入速度对比中,可以看到在垃圾回收后,写入性能的衰减比较大,这个是我测试其他SSD时没有遇到过的。
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在基准读取测试中,同样也看到比较奇怪的一幕。垃圾回收后,跑完HD TUNE的全部测试,如果马上再跑一次基准读取,可以看到SSD的性能曲线非常不稳定。而且这个过程我重复测试了几次,每次都会这样。感觉840 EVO对于较高负载的测试承压能力比较低,不知道是主控还是颗粒造成的。
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然后是CrystalDiskMark 性能对比:
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CrystalDiskMark 性能对比主要是将写入文件分别设置为默认的1000MB和最大的4000MB,对比一下两者的区别。这个对比可以看到,SSD在写入性能上的下降非常明显。由于CrystalDiskMark是通过在SSD上建立虚拟分区的方式进行测试的。也就是说4G很可能超出了840 EVO预设的SLC缓存尺寸,所以在大文件传输上,性能损失比较铭心啊。

然后是其他测试软件的性能对比,由于其他测试软件多采用一个小容量的虚拟分区来进行测试,负载非常的轻,所以很难看到明显的区别。
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关于SLC缓存:
为了弥补TLC颗粒孱弱的性能,三星引入了SLC缓存的方式。SLC缓存并非是在SSD中集成SLC颗粒。而是通过SSD内的TLC颗粒,划出若干空间,通过将这个空间内的颗粒分成三份,同时进行写入在制造一个高性能缓存。比如划出6G的空间就可以制造出2G的SLC缓存。但是这个方式所有的数据都需要先写入缓存,再转储到用于存文件的颗粒中。这就会造成二次写入。大幅增加SSD的写入量。
举个比较通俗的例子:
一个城市的领导为了省钱,将城市的主干道只造了一车道。为了应付上级领导的检查,显示道路很畅通,所以就在领导会巡视的路口扩建成三车道的大马路。如果只是走安排给领导看的车流,道路看上去通行能力很强。但是如果在高峰大车流时或者有变道迟缓的大货车经过。这个路口也不过就是更宽些的停车场而已。
翻译过来就是这样:
三星为了降低产品成本,将主流的MLC颗粒降为TLC颗粒。为了让消费者接受,觉得产品性能很强,所以就在SSD增加了SLC缓存提升纸面性能。如果仅仅跑测试软件,性能表现十分给力。但是在高负载或者大文件处理时,产品性能就被打回原形。

简单总结:
从测试中可以比较明显的看到,TLC固有的固疾三星也并没有很好的办法来解决。相反,在TLC写入寿命明显弱于MLC的前提下,不惜通过SLC缓存的方式大幅增加SSD的写入次数,只为了跑分上获得更高的成绩。片面的针对跑分优化,甚至连读取稳定性都没有做好。但产品的价格却已经与二线MLC颗粒SSD基本一样。
其实个人并不完全反对TLC颗粒进入SSD市场。TLC颗粒寿命比较短,最大的问题并非死的太快,而是性能衰减相比ML颗粒会来的早很多。因为颗粒在使用中性能会随剩余寿命的下降而同步下降,用的比较久的U盘速度会很慢就是这个原因。如果三星可以针对TLC寿命较短的问题,针对写入压缩,平衡擦写等方面进行针对性的优化。让TLC SSD的寿命更加接近MLC SSD,性能上4K读写肯定远超机械,为用户带来明显的性能提升,价格上更符合TLC产品的生产成本。这样才是真正在普及SSD产品,市场的导向也会更加健康。有谁会拒绝一个性能稍弱,但是只要599的256G SSD呢?
不过个人觉得这个建议可能太过奢望,作为世界500强企业中研发经费比例最低,而营销经费比例最高的厂商。希望他们以一种务实的态度来制造产品~~呵呵~

谢谢欣赏
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阅读(2020)| 评论(9)
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